標題 | 2023-2026 年「臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計畫(ACED Fab Program) |
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機關類別 | 國科會 |
機關名稱 | 國科會 |
公告時間 | 2022-09-29 |
內容 | 函轉國家科學及技術委員會與美國國家科學基金會(NSF)共同徵求徵求2023-2026 年「臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計畫(ACED Fab Program)」,校內截止收件時間為112年1月11日(三)下午5時止,逾期不予受理,請查照轉知。
一、依國家科學及技術委員會111年9月28日科會科字第1110060546號函辦理。 二、國科會與美方NSF將於111年11月15日及11月23日共同舉辦「臺美先進系統晶片設計(ACED Fab)學術研討會(線上會議)」,鏈結臺美半導體領域學者互動交流,歡迎有興趣者踴躍報名參與。 三、計畫主持人及共同主持人資格與限制: (一) 臺方: 1. 須符合國科會專題研究計畫主持人及共同主持人資格,且僅限申請及參與一件計畫。 2. 臺方計畫主持人應配合美方計畫主持人,於111年12月13日前,繳交申請案構想書(Research Concept Outline, RCO) ,並同時以電子郵件寄送國科會李蕙瑩研究員(vvlee@nstc.gov.tw),據與美方核對申請資料。RCO須獲美方(NSF)回應符合計畫目標,始得共同提出完整計畫書。 (二) 美方:計畫(共同)主持人須符合美方(NSF)計畫主持人資格。 四、計畫申請注意事項: (一)本案為半導體領域合作計畫,計畫書須由臺灣及美國雙方計畫主持人共 同研議完成並提出中、英文合作申請書,分別提送國科會及美國國家科學基金會。 (二)臺方專案預算為每年新臺幣3,000 萬元,期程以3年,計畫執行期間自2023年7月1日至2026年6月30日,本案係屬雙邊協議專案型國際合作研究計畫(Joint Call)。 (三)本案通過之計畫可不受國科會一般專題計畫補助件數之限制,惟計畫主持人同年度執行此類「雙邊協議專案型國際合作計畫(Joint Call)」及「雙邊協議擴充加值 (add-on)國際合作計畫」合計仍以2 件為限。 (四)有意申請者,請於旨揭截止期限前完成線上申請作業並請所屬單位於次日中午前將申請名冊(經單位主管核章)送達研發處,俾利備函彙送國科會提出申請。 五、本計畫徵求以及線上說明會等相關資訊,請隨時逕至國科會網頁「計畫徵求專區」查詢參閱。 六、申請如有疑義,請洽國科會李蕙瑩研究員,聯絡電話:(02)2737-7150。申請系統操作問題,請洽國科會資訊處,聯絡電話:0800-212-058,(02)2737-7590~2737-7592。 |
承辦單位 | 學術推展組 |
承辦人 | 陳瑞英 |
分機 | 66899 |
本校收件 截止時間 | 2023-01-11 |
檔案下載 | 國科會函 計畫徵件說明 本校函 |
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