政治大學 研發處

一、      依科技部 110 年 7 月 14 日科部自字第 1100044075 號函（如附件一）辦理。

二、      旨揭計畫目標係為提昇國內檢測技術研發達到國際間領先地位，進而促進國內基礎科學研究，並針對相關產業所需之檢測設備進行研發與建置，為前瞻科技產業尋找新的契機，開創國內科技研究的長期經濟價值。

三、      本年第二次徵求案著重於量測技術研發計畫，旨在發展尖端晶體及新穎材料所需量測相關之關鍵核心設施及檢測技術，發展針對先進材料（能源、光電、永續環境等）物性化性功能解析之實驗技術，並期能整合學術與應用之完整規劃，並藉此計畫訓練及培養高階儀器技術開發人才及研發團隊。

四、      本次計畫徵求以量測技術研發計畫為規劃重點，相關計畫申請書內容應包含下列要件，請在CM03表中敘明：

（一）  該技術開發後對學界或業界可能帶來之顯著影響。

（二）  訂定使用本計畫設施成效指標，如樣品或量測服務使用於學術或 應用等成果。

（三）  主持人服務機構之配合措施，含技術人員、空間、經費、現行設 施之使用權等，及服務機構對此計畫所提之後續維護承諾。

（四）  未來技術開發完成後轉型成為檢測服務計畫（科技部尖端核心設施）之經營管理規劃。

五、      計畫主持人與共同主持人有義務參加尖端晶體材料研究計畫之相關學術應用推動活動以及成果發表會。

六、      本計畫之所有服務或研究成果須配合尖端晶體材料聯合實驗室推動辦公室整體推動規劃，特別是網頁資訊提供。

七、      有意申請者請於旨揭截止期限前完成線上申請作業，並請所屬單位於次日中午前將申請名冊（經單位主管核章）送達研發處，俾利備函彙送科技部提出申請。

八、      本計畫相關申請疑義，請洽科技部自然司郭廷洋；聯絡電話：02-2737-7465。有關系統操作問題，請洽科技部資訊處，電話：0800-212-058、02-2737-7590～2737-7592。