標題 | 111年度次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫 |
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機關類別 | 國科會 |
機關名稱 | 科技部 |
公告時間 | 2021-11-26 |
內容 | 科技部公開徵求111年度「次世代化合物半導體前瞻研發 專案計畫」,校內截止收件時間為111年1月21日(五) 下午5時止,逾期不予受理,請查照轉知。
一、依科技部110年11月25日科部工字第1100070313號函辦理。 二、本專案目標為因應在電源、混合動力與電動車、B5G/6G 高頻元件/系統等應用,將以國內矽基半導體和光電產業 為基礎,擴展次世代化合物半導體領域。研究項目分成 兩個分項,內容如下: (一)B5G/6G 高頻通訊關鍵半導體技術專注於氮化鎵 (GaN)、磷化銦(InP)於超高速的元件技術開發。 (二)下世代寬能隙高壓功率半導體技術:專注於氮化鎵 (GaN)、碳化矽(SiC)、氧化鎵(Ga2O3)及鑽石(Diamond) 等寬能隙材料。 三、申請注意事項: (一)應規劃四年(111年5月1日至115年4月30日止),業經審查通過,核定補助二年(111年5月1日至113年4月30日止),採分年核定多年期計畫。 (二)以單一整合型計畫為限,每一整合型計畫之總計畫及所有子計畫全部書寫於一份計畫書,子計畫應為三個(含)以上,最多以不超過六個為原則。總計畫主持人須同時主持1項子計畫,各主持人應實質參與研究,計畫書應詳實註明各主持人負責之研究主題,整合之計畫 需有整體明確的目標,並由總計畫主持人之服務機關提出申請。 (三)申請書表格採用一般專題研究計畫之計畫書格式,其中表CM03研究計畫內容頁數以不超過60頁為限。 (四)有意申請者,請於旨揭截止期限前於「專題類-隨到隨 審計畫」,計畫類別點選「一般策略專案計畫」;研究型別請點選「整合型」;計畫歸屬請勾選「工程 司」;學門代碼請勾選「E9870-次世代化合物半導體前瞻研發計畫」。完成線上申請作業,並請所屬單位於次日中午前將申請名冊(經單位主管核章)送達研發處,俾利備函彙送科技部提出申請。 四、本計畫之徵求重點及相關申請須知等注意事項,請詳閱科技部工程司網站(https://www.most.gov.tw/eng/ch)-公告事項參閱。 五、計畫申請如有疑義,請洽科技部黃士育副研究員,電話:02-2737-7374。有關系統操作問題,請洽科技部資訊處,電話:0800-212-058、02-2737-7590〜2737-7592。 |
承辦單位 | 學術推展組 |
承辦人 | (待補)劉玉玲代理 |
分機 | 66899 |
本校收件 截止時間 | 2022-01-21 |
檔案下載 | 科技部函 計畫徵求公告 國際合作經費編列範例 本校函 |
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